Tự hào về hiệu suất cực cao của SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) và độ bền của công nghệ độc quyền Samsung V-NAND. Là giải pháp lý tưởng nhất cho các dòng máy tính và Mainboard có hỗ trợ cổng PCIe. Dòng sản phẩm PM9A1 cho phép di chuyển tập tin và chạy đa nhiệm nhanh hơn. Sử dụng NAND Flash mới nhất. Bộ điều khiển Controller tiên tiến để mang lại hiệu suất cao. Độ tin cậy tuyệt vời và tiết kiệm điện. Bảo vệ các dữ liệu của bạn với chức năng bảo vệ dữ liệu hàng đầu.SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) có tốc độ lên đến 7000 MB/s, đáp ứng mọi nhu cầu cần sử dụng hiệu năng cao.

Siêu ổ cứng thế hệ mới

SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) Trang bị chuẩn giao tiếp PCIe Gen 4 x 4 băng thông rộng mang đến cho bạn một hiệu năng cực kì tuyệt vời. Controller Samsung Elpis làm gia tăng tốc độ đọc/ghi lên đến 7.000 MB/s. Tốc độ nhanh hơn gấp 2 lần so với SSD PCIe 3.0 . Nhanh hơn 12 lần so với SSD SATA của Samsung.

Cải thiện tối đa hiệu năng của máy tính

SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) Tăng tốc đáng kể về thời gian khởi động, tắt máy, tải ứng dụng, duyệt web, sao chép tập tin. Khi truy cập vào dữ liệu, ổ hoạt độngtốc độ nhanh gấp 200 lần với với HDD. SSD không có bộ phận chuyển động cơ quay, giúp giảm thời gian khởi động. Tắt máy cực nhanh đồng thời kéo dài tuổi thọ và bảo mật bằng phần cứng. Giúp bảo vệ dữ liệu của bạn được an toàn tối đa.

SSD M.2 PCIe NVMe Gen4 x4 hiệu quả

SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) có dạng M.2 2280 nhỏ gọn,dễ dàng cắm vào máy tính để bàn và máy tính xách tay. Do kích thước và hiệu suất năng lượng được tối ưu hóa, lý tưởng để xây dựng các hệ thống máy tính hiệu suất cao.

 Độ trễ cực thấp

SSD Samsung PM9a1 512GB NVMe PCIe Gen4 x4 (MZVL2512HCJQ-00B00) cung cấp khả năng kiểm soát nhiệt hiệu suất cao cần thiết cho một ổ SSD hiệu suất cao. Để giúp đảm bảo hiệu suất ổn định, nó sử dụng lớp phủ niken để giúp quản lý mức nhiệt của bộ điều khiển và nhãn bộ tản nhiệt để cung cấp khả năng kiểm soát nhiệt hiệu quả của chip NAND.